일반뉴스 'EUV 미세공정 적용' 10나노급 4세대 양산하는 SK하이닉스
헬로티 서재창 기자 | SK하이닉스가 극자외선(EUV) 미세공정이 처음 적용된 10나노급 4세대(1a) 모바일 D램 양산에 돌입했다. SK하이닉스는 이달 초부터 차세대 10나노급 4세대(1a) 미세공정이 적용된 8Gbit LPDDR4 양산을 시작했다고 12일 밝혔다. LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)는 스마트폰 등 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램이다. 반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있으며, 1a는 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)를 잇는 4세대 기술이다. 앞서 미국의 마이크론도 지난달 4세대 D램인 1α기반(1a와 동일)의 LPDDR4x 양산에 들어갔다고 밝힌 바 있다. SK하이닉스 관계자는 "플래그십 스마트폰 시장에서 LPDDR5 모바일 D램의 채용이 시작됐지만 아직 스마트폰의 주 채용 제품은 LPDDR4"라며, "이에 LPDDR4를 1a 첫 제품으로 양산하게 됐다"고 말했다. SK하이닉스는 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품을 하반기부터 스마트폰 제조사들에 공급할 예정이다. 이 제품은 D램 가운데 극자외선(EUV) 공정 기술이 처음 적용됐다. 앞서 SK하이닉